存储空间时序由什么决定

tRP即Row Precharge Timing，指内存行地址控制器的预充电时间，对应时序中的第三个数字，该参数设定在激活下一行前RAS所需的充电时间，数值越小读写速度越快，推荐值为2个时钟周期以获得最高性能，设为4可在超频时获得最佳稳定性，设为5则过于保守，但多数内存很难稳定在2的值，需超频才能达到。