内存时序参数通常以类似5-5-5-15 1T或4-5-4-12 2T的数字序列呈现，要理解其决定因素需从各子参数入手，其中CPC即Command Per Clock指令比率，可选Auto、1T或2T，它代表在P-Bank选择完毕后发出具体L-Bank或行激活命令所需的时钟周期数，CPC越短性能越好但受内存模组数量影响稳定性，默认多为Disable(2T)，高质量内存可设为Enable(1T)。
存储空间时序由什么决定
tRCD参数全称为RAS to CAS Delay，即行寻址到列寻址的延迟时间，对应时序序列中的第二个数字，在内存进行读、写或刷新操作时需插入这段延迟，数值越小性能越佳，通常建议设为3或2以获得最佳平衡，设为4时系统最稳定，设为5则过于保守，若超频性能不佳可适当调高此默认值。
决定内存读写速度核心的tCL参数，即CAS Latency Control，对应时序中的第一个数字，它控制从接受指令到执行指令的时间，主要涉及列地址控制的潜伏期，CAS是寻址数据的最后一步也是最重要步骤，该参数值越小内存速度越快，但受内存颗粒限制不能无限降低，过低会导致数据丢失或不稳定，超频时有时需适当提高该值以换取稳定性。
tRAS代表Min RAS Active Timing，即内存行有效至预充电的最短周期，是时序中的最后一个数字，调整需结合具体情况一般设在5到10之间并非越大越好，若周期太长会因无谓等待降低性能，太短则可能导致数据突发传输失败从而引发丢失或损坏，通常最佳设定为CAS延迟加上tRCD再加上2个时钟周期。
tRP即Row Precharge Timing，指内存行地址控制器的预充电时间，对应时序中的第三个数字，该参数设定在激活下一行前RAS所需的充电时间，数值越小读写速度越快，推荐值为2个时钟周期以获得最高性能，设为4可在超频时获得最佳稳定性，设为5则过于保守，但多数内存很难稳定在2的值，需超频才能达到。