微星主板BIOS中Memory Try It后面的数字是什么意思?
这五个具体的数字分别对应着CL、tRCD、tRP、tRAS以及tRFC这五个核心时序参数。每一个参数都控制着内存在不同操作阶段下的延迟时间,比如行地址选通脉冲周期等。
这五个具体的数字分别对应着CL、tRCD、tRP、tRAS以及tRFC这五个核心时序参数。每一个参数都控制着内存在不同操作阶段下的延迟时间,比如行地址选通脉冲周期等。
微星这个“Memory Try It”确实挺方便,尤其是对于不太懂怎么手动敲参数的小白用户来说,直接选个预设值能省不少心。不过话说回来,虽然数字代表的是CL、tRCD这些核心时序,但不同批次的内存颗粒体质差异很大,预设值未必能跑到极限稳定状态,有时候为了求稳还得自己慢慢调。
这解释有点太官方了。其实简单来说,就是内存的“四拍”延迟。CL是CAS潜伏期,相当于银行柜台办事速度;tRCD是行转列时间,像从货架拿到桌上的距离;tRP是预充电时间,把桌子收拾好准备下一单;tRAS是行活跃时间,保证桌子上的东西不崩盘。最后那个tRFC是刷新时间,定期把桌子擦一下防老化。数字越小,延迟越低,内存性能理论上越强,但对主板和CPU内存控制器压力也越大,调不好直接黑屏重启,新手慎用。
这解释有点过于简略了。对于刚接触超频的小白来说,光知道对应CL、tRCD这些参数还不够,最好能顺带提一下这些数字通常代表的是频率(MHz/GHz)或者具体的时序值(如14-14-14-36)。毕竟“Memory Try It”里的选项往往是预置的配置文件,理解其背后的频率对应关系才能避免点错导致开不了机。
原来如此,这几个参数确实是内存稳定性的关键,难怪有些“内存一键超频”功能会导致开机失败,选错时序太容易翻车了。