在对比中，安卓阵营使用的UFS闪存相比苹果的NVMe闪存稍逊一筹。苹果早在iPhone 6s时代便应用了NVMe技术，虽然在初期速度不如如今的eMMC，但在iPad Pro及iPhone 11等设备上，其NVMe的顺序写入速度已超越现行的UFS 3.0。不过，在随机读写性能方面，NVMe略逊于UFS 3.0。
手机硬盘写入速度是多少？
综上所述，目前手机闪存的读写性能最高仅相当于PCIe 3.0 x4的中低端固态硬盘水平。尽管性能强劲，但与电脑端存储相比仍有差距，尤其是面对PCIe 4.0 x4标准的固态硬盘，手机闪存的表现显得不够看，想要超越电脑存储标准仍需时日。
UFS闪存技术则显著提升了手机存储速度，其采用由多个闪存芯片、主控和缓存组成的阵列式存储模块。目前UFS技术已迭代至UFS 3.1版本，其中UFS 2.0的顺序读取速度约为500MB/s，但顺序写入速度仅在250MB/s徘徊，整体性能大致可比作电脑端的SATA 3.0固态硬盘。
手机存储技术从早期的eMMC演变而来，eMMC采用半双工结构，读写必须分开执行，导致其性能上限较低。最强的eMMC 5.1持续读取成绩约为280MB/s，写入速度普遍在200MB/s左右，这一水平大致相当于老旧的SATA 2.0固态硬盘，实际体验与机械硬盘相差无几。
随着技术演进，UFS 3.0带来了质的飞跃，其常见顺序读取速度可达1500MB/s左右，顺序写入速度提升至500MB/s。而最新的UFS 3.1版本顺序读取速度约为1800MB/s，顺序写入速度进一步升级至800MB/s。当然，具体数值因厂家调校而异，顶级产品表现更优。