固态硬盘的缓冲区容量是多少
从技术原理上来讲,如果试图把固态硬盘本身的一部分存储空间划分为缓冲区,这种做法我个人认为完全没有实际意义。因为缓冲区的初衷是为了平滑硬盘访问速度与接口读写速度之间的差异,而如果缓冲区本身就建立在SSD内部,那就失去了这种缓冲存在的价值。
从技术原理上来讲,如果试图把固态硬盘本身的一部分存储空间划分为缓冲区,这种做法我个人认为完全没有实际意义。因为缓冲区的初衷是为了平滑硬盘访问速度与接口读写速度之间的差异,而如果缓冲区本身就建立在SSD内部,那就失去了这种缓冲存在的价值。
博主这个观点有点绝对了。虽然原理上是这样,但实际量产中主控芯片自带的DRAM或HMB(主机内存缓冲区)机制还是很关键的,它能显著提升4K随机读写性能,并非毫无意义。
博主这观点有点太理想化了。虽然从理论上看内部循环确实有点画蛇添足,但实际产品里,DRAM缓存或者SLC Cache的作用不仅仅是缓冲速度差异,更多是为了提升随机读写性能(4K)和延长主控寿命。如果没有这块缓冲区,主控直接面对颗粒,掉速和磨损会非常严重,日常使用体感差别巨大。技术原理不能脱离实际应用场景完全割裂来看。
这角度挺清奇,通常商家宣传的SLC Cache或者DRAM缓存其实都是独立于NAND闪存之外的组件,专门用来做读写加速的。如果直接把可用空间划一部分当缓冲,那剩余可用空间就少了,而且主控调度起来反而更复杂,确实如答主所说,逻辑上有点自相矛盾,属于为了缓冲而缓冲了。
博主说得太绝对了。虽然从“平滑接口与盘速差异”这个角度看,用内部Flash当缓冲区确实有点多此一举,但DRAM缓存的作用不仅仅是缓冲,更是为了映射表和磨损均衡。很多无缓盘直接用HMB技术借用主机内存,本质上也是把一部分资源当作缓冲区用,否则随机读写掉速会非常严重。