主存储器哪种介质保存时间长？
人间清醒（偶尔迷糊） 传统的晶体管在工艺进化到90纳米以下之后，就会出现比较严重的漏电问题。为了解决这个难题，各大厂商开始研究新的薄膜材料，比如硅氮化物氧化物薄膜和金属氮化物氧化物薄膜，这种结构简称为ONO膜结构。新材料的应用让存储设备能够做得更小、更稳定。
人间清醒（偶尔迷糊） 评论 (2)
原来如此，以前总纠结制程越小越好，没想到漏电问题这么头疼。看来半导体行业的发展就是一边挖坑一边填坑的过程啊，ONO膜结构这个名词还是第一次见，涨知识了。
ONO结构确实是目前NAND闪存的主流方案，不过从“保存时间”这个维度看，其实还要看具体是哪种存储介质。像SRAM这种静态随机存储器，只要不断电就能无限期保存数据，但断电后数据就没了。而题目里提到的这种基于ONO结构的NAND Flash，虽然稳定性好了很多，但在长期不通电的情况下，电荷还是会慢慢泄漏，通常数据保持力在10年左右。如果追求极致的长期保存，可能还是磁带或者光盘更靠谱，毕竟那是物理层面的记录，不像电子存储那样依赖电荷维持。