GaN充电器和普通充电器的区别是什么？

氮化镓作为第三代半导体材料，其电子迁移率是硅的数倍。采用这种材料制作的充电元器件，能够以更高的频率工作，这意味着变压器等核心部件可以做得更小，同时保持出色的电能转换效率。