要降低内存时序，首先得看你主板够不够硬，进BIOS看看有没有手动修改内存时序的选项。比如我用的技嘉H61M-D2P-B3这块板子，就能直接指定数值，甚至能分别给双通道的两个插槽设不同的值，所以第一步就是去BIOS里找找看有没有这些高级设置。
如何降低存储空间的时序？
但要注意，部分内存在较低延迟下可能不稳定甚至丢数据。如果设为2或2.5后不稳定，只能提高延迟。同时，提高延迟能使内存运行在更高频率，所以超频时试着提高CAS延迟是常见的做法。在保证稳定前提下，CL值越低，内存读写越快。
CPC参数越短越好，但随着内存插槽增多，控制芯片负载增加，过短间隔可能影响稳定性。如果插了很多内存出现不稳定，才需要调长此参数。默认通常是Disable(2T)，如果内存质量好，可以改为Enable(1T)以获得更好性能。
你可以试着把两条内存的位置交换一下，看看能不能改善稳定性或者解锁更好的时序设定。如果实在不行，也没有别的太好的办法了，毕竟硬件的物理极限就在那里，有时候折腾半天不如直接换条好内存来得实在。
tCL即CAS Latency Control，是我们常见的时序如“3-4-4-8”中的第一个数字3。CAS Latency是内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间，控制从接受指令到执行指令的时间。因为它控制列地址，是最重要的参数，在稳定前提下应尽可能设低。
CL值为2能获得最佳性能，CL值为3则提高稳定性。注意Winbond BH-5/6芯片可能无法设为3。tRCD是RAS to CAS Delay，即时序中的第二个参数，表示行寻址到列寻址的延迟时间。数值越小性能越好，JEDEC规范中它排第二，降低此延时可提升系统性能。
关于FSB前端总线和内存频率的关系，大家可以通过FSB/MEM比率来看实际运行频率。比如1/1比率对应200MHz，1/2对应100MHz，2/3对应133MHz等等。对于大多数玩家来说，FSB和内存保持1:1同步，通常是性能最佳的选择。
内存寻址分行列，tRAS激活后，先找行地址，再初始化tRCD，最后通过CAS访问精确地址。CAS延迟就是从CAS开始到结束的时间，这是找到数据的最后一步，也是最重要的参数。它决定了接收读取指令后等待多少个时钟周期才执行，数值越小速度越快。
同步状态下，内存的实际运行频率是FSB的两倍。比如DDR400内存配合200MHz FSB正好同步。如果你的FSB超频到240MHz，同步后内存实际频率就是480MHz。强烈建议采用1:1的同步设置，这样能完全发挥内存带宽的优势，避免异步设置带来的效率损失。
像紫光那款DDR4内存，2666MHz频率，型号CL19-19-19，就配了散热马甲，能有效降温避免高温降频，性价比也很突出。对于普通用户来说，这种级别的配置使用起来速度已经很快了，没必要过度追求极限低时序。
内存时序参数里那串用破折号隔开的数字，其实代表的是延迟，也就是内存对CPU指令的反应时间。当CPU发来指令后，内存需要几个时钟周期来处理，比如访问某块数据，这个过程越快，内存性能就越好，所以这些数字当然是越小越好了。
不过要注意，一般内存频率上去了，时序就得有所牺牲，这是物理特性决定的。时序的改变对延迟变化的影响，比内存读写速度的变化更明显。所以挑内存的时候，挑个合适的就行，日常使用和玩游戏，选2666Hz的频率其实已经绰绰有余。
内存参数的设置正确与否，对系统整体性能影响极大。涉及的关键参数包括CPC、tCL、tRCD、tRAS、tRP等。CPC即Command Per Clock，指令比率，可选Auto、Enable(1T)或Disable(2T)，它决定了P-Bank选择后多久发出L-Bank寻址命令。
建议tRCD设置为3或2，但设置太低会导致系统不稳定。设为4时系统最稳定，设为5则过于保守。如果你的内存超频性能不佳，建议将此值设为默认值，或者尝试稍微提高tRCD值，以换取系统的整体运行稳定性，毕竟稳定才是高性能的基础。