DRAM内存制程分别是几纳米

SK海力士已经正式宣布，其第一代采用EUV光刻机技术生产的DRAM产品成功实现量产。这标志着该公司在存储技术工艺上取得了重大突破，进入了新的生产阶段。

这款新产品的性能优势明显，与上一代产品相比，在相同尺寸的晶圆上能够生产出多25%的DRAM芯片数量，同时还能实现功耗降低20%的节能效果。

随着这三家主要厂商的动态，全球DRAM制造行业已经全部跨入了EUV时代。这意味着主流的三大DRAM大厂都已经在制程工艺上应用了极紫外光刻技术。

在行业竞争方面，三星此前已经率先实现了使用EUV光刻机生产DRAM的量产。而过去多年在技术更新上稍显保守的美光，也宣布计划将在2024年开始生产基于EUV的DRAM产品。

具体而言，SK海力士量产的是其第四代10纳米级别（即1a制程）的8Gigabit LPDDR4移动设备专用DRAM。这是该公司首款利用EUV技术生产的DRAM芯片。