4代内存条和3代内存条有什么区别

最后，在封装技术和功耗控制上，DDR4也做了优化。它使用了3DS堆叠封装技术，使得单条内存容量能达到之前产品的数倍，例如从8GB提升到64GB甚至128GB。同时，DDR4采用了20nm以下的工艺制造，工作电压从DDR3的1.5V降低到了1.2V，移动版SO-DIMM DDR4的电压还会更低，这不仅降低了功耗，也减少了发热量。