Si和Ge属于间接带隙半导体，主要依靠复合中心进行间接复合。其寿命决定于复合中心的浓度和性质，与禁带宽度基本无关，通常寿命较长。
复合作用与禁带宽度之间存在什么关系？
虽然GaAs的禁带宽度较大，但由于是直接复合，其载流子寿命较短；而Si和Ge虽禁带较小，但因是间接复合，寿命反而比GaAs长。
这里首先得厘清概念，能带结构分为直接带隙和间接带隙，而复合机理则分为直接复合与间接复合，这两者不能混淆。
对于直接带隙半导体如GaAs，主要发生直接复合，导致少数载流子寿命很短。直接复合的几率与禁带宽度有关，带隙越小，寿命越短。